(5)NOR Flash 與NAND Flash 的區(qū)別:
A、NOR Flash 的讀速度比NAND Flash 稍快一些。
B、NAND Flash 的擦除和寫入速度比NOR Flash 快很多
C、NAND Flash 的隨機(jī)讀取能力差,適合大量數(shù)據(jù)的連續(xù)讀取。
D、NOR Flash 帶有SRAM 接口,有足夠的地址引進(jìn)來尋址,可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字
節(jié)。NAND Flash 的地址、數(shù)據(jù)和命令共用8位總線(有寫公司的產(chǎn)品使用16位),每次讀寫都要使用復(fù)雜
的I/O 接口串行地存取數(shù)據(jù)。
E、NOR Flash 的容量一般較小,通常在1MB~8MB 之間;NAND Flash 只用在8MB 以上的產(chǎn)品中。
因此,NOR Flash 只要應(yīng)用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中,NAND Flash 適用于資料存儲(chǔ)。
F、NAND Flash 中每個(gè)塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬次,而NOR Flash 是十萬次。
G、NOR Flash 可以像其他內(nèi)存那樣連接,非常直接地使用,并可以在上面直接運(yùn)行代碼;NAND Flash
需要特殊的I/O 接口,在使用的時(shí)候,必須先寫入驅(qū)動(dòng)程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。因?yàn)樵O(shè)計(jì)師絕不能
向壞塊寫入,這就意味著在NAND Flash 上自始至終必須進(jìn)行虛擬映像。
H、NOR Flash 用于對(duì)數(shù)據(jù)可靠性要求較高的代碼存儲(chǔ)、通信產(chǎn)品、網(wǎng)絡(luò)處理等領(lǐng)域,被成為代碼閃
存;NAND Flash 則用于對(duì)存儲(chǔ)容量要求較高的MP3、存儲(chǔ)卡、U 盤等領(lǐng)域,被成為數(shù)據(jù)閃存。
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