景德鎮(zhèn)陶瓷學(xué)院2010年考研調(diào)劑信息（3.24日更新）

微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)

　　高校名稱：景德鎮(zhèn)陶瓷學(xué)院

　　所在省市：江西

　　調(diào)劑專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)

　　是否有公費(fèi)名額：有

　　歡迎你調(diào)劑到我校微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)攻讀碩士學(xué)位，我名下有公費(fèi)指標(biāo)。學(xué)習(xí)期間待遇：除國(guó)家規(guī)定的生活補(bǔ)助外，視每年我的科研經(jīng)費(fèi)到帳條件，導(dǎo)師每月給不少于100元的助研補(bǔ)貼，若能公費(fèi)錄取，則無需家里經(jīng)濟(jì)負(fù)擔(dān)。另學(xué)習(xí)期間若能發(fā)表被sci/ei收錄文章，導(dǎo)師給1000元每篇獎(jiǎng)勵(lì)。如有意愿，請(qǐng)盡快到國(guó)家調(diào)劑網(wǎng)進(jìn)行調(diào)劑登記(我們學(xué)校復(fù)試時(shí)間4月8日)，具體情況可到我們學(xué)校網(wǎng)http://www.jci.jx.cn上進(jìn)行查詢，若你為第一個(gè)確認(rèn)調(diào)劑至我名下的考生，則可確保你為公費(fèi)生。聯(lián)系電話13979803899，8489023@163.com.。如下是我及碩士點(diǎn)基本情況：

　　一、個(gè)人基本情況

　　胡躍輝，男，1966年11月出生，教授，材料物理與化學(xué)博士學(xué)位，碩士研究生導(dǎo)師，江西省中青年學(xué)科帶頭人，江西省新世紀(jì)百千萬人才，江西省教學(xué)名師，景德鎮(zhèn)陶瓷學(xué)院機(jī)電學(xué)院副院長(zhǎng)，景德鎮(zhèn)陶瓷學(xué)院微電子學(xué)與固體電子學(xué)碩士點(diǎn)學(xué)科帶頭人。

　　科研方面，主要從事的科學(xué)研究方向?yàn)椋罕∧ぬ�陽能電池、半�?dǎo)體薄膜光電材料與器件、電子器件、光電子技術(shù)等。

　　二、科研項(xiàng)目

　　1、 國(guó)家973項(xiàng)目“非晶硅退化機(jī)理與高速生長(zhǎng)穩(wěn)定硅基薄膜材料的研究”

　　2、 主持國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目“micromorph疊層太陽電池若干問題的基礎(chǔ)研究”

　　3、 主持江西省千名科技人員入園入企行動(dòng)項(xiàng)目“非晶硅/ZnO:AL/微晶硅疊層電池的研制”

　　4、 主持江西省自然科學(xué)基金項(xiàng)目“雙結(jié)串接非晶/微晶硅疊層太陽電池若干問題的基礎(chǔ)研究”

　　5、 主持江西省自然科學(xué)基金項(xiàng)目“具有高彈性模量陶瓷材料的懸絲耦合彎曲共振檢測(cè)方法的研究”

　　6、 主持江西省自然科學(xué)基金項(xiàng)目“單磁場(chǎng)線圈MWECR CVD 沉積系統(tǒng)高速制備均勻a-Si：H薄膜機(jī)理的研究”

　　7、 主持江西省自然科學(xué)基金項(xiàng)目“氫化納米非晶硅/非晶硅復(fù)合薄膜制備太陽電池研究”

　　8、 主持江西省自然科學(xué)基金項(xiàng)目“n-p-p連接非晶硅pin疊層太陽電池頂電池和底電池的研究”

　　9、 主持江西省教育廳科技項(xiàng)目“氫化非晶硅薄膜na-Si:H/a-Si:H過渡區(qū)材料制備太陽電池的研究”

　　10、 主持江西省教育廳科技項(xiàng)目“用n-p-p子電池連接非晶硅p-i-n疊層太陽電池頂電池和底電池的研究”

　　11、 主持江西省教育廳科技項(xiàng)目“Si襯底和SOI襯底上高介電ZrO2薄膜生長(zhǎng)行為和穩(wěn)定性研究”

　　12、 主持江西省教育廳科技項(xiàng)目“高介電Ta2O5 薄膜研究”

　　13、 主持景德鎮(zhèn)市科技局項(xiàng)目“高效、穩(wěn)定非晶硅太陽電池研究”

　　三、論文

　　1、 Nanomorph Silicon Thin Films Prepared by Using an HW-MWECR CVD，Chin. Phys. Lett，22 (2005) 1260

　　2、 Investigation of the a-Si:H Films by Using Thermal and Light-Induced Annealing Treatment in Atomic Hydrogen Atmosphere in H-W-ECR CVD System，Chinese Physics，2005, 14(7)：1876

　　3、 Infrared-Transmission Spectra and Hydrogen Content of Hydrogenated Amorphous Silicon. Science in China Ser. G. 2004, 47(3)：381—392 (第一作者，SCI收錄)

　　4、 MWECR CVD等離子體沉積系統(tǒng)梯度磁場(chǎng)對(duì)沉積a-Si:H薄膜特性的研究. 物理學(xué)報(bào). 2004, 53(7)：2263—2269(第一作者，SCI收錄)

　　5、 Growth Rate of a-Si∶H Film Influenced by Magnetic Field Gradient in MWECR CVD Plasma System. Chinese Journal of Semiconductors. 2004, 25(6)： 613—619 (第一作者，EI收錄)

　　6、 用生長(zhǎng)/氫等離子體交替處理堆積層表面技術(shù)制備微晶硅薄膜的研究，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，2007, 28(8)： 1237—1241(通訊作者，EI收錄，學(xué)生第一作者)

　　7、 Investigation on deposition of a-Si:H films with uniformity in large area base on HW-MWECR-CVD system. TECHNICAL DIGEST PVSEC-15，October 10-15,2005, Shanghai China. P834(第一作者)

　　8、 Investigation of microcrystalline silicon film prepared by Layer-By-Layer technology. TECHNICAL DIGEST PVSEC-15, October 10-15,2005, Shanghai China. P957(第一作者)

　　9、 Improvement on the conventional MWECR-CVD system and preparation of hydrogenated amorphous silicon films. Vacuum. 2005, 77: 355—358 (第四作者，SCI收錄，學(xué)生第一作者)

　　10、 Simulation Analysis on Effects of Back Surface Field on p-a-Si:H/n-c-Si/n+-a-Si:H Heterojunction Solar Cell，Chinese Journal of Semiconductors，2009(6)(第一作者，EI收錄)

　　11、 氫化非晶硅薄膜的紅外光譜分析和橋鍵氫擴(kuò)散假設(shè)。功能材料.2005,36(6)：940-944(第三作者，EI收錄，學(xué)生第一作者)

　　12、 Preparation Of High-Quality Hydrogenated Amorphous Silicon Film with A New Microwave Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapour Deposition System Assisted with Hot Wire. Chinese Physics. 2005, 14(4)：834(第六作者，SCI收錄，學(xué)生第一作者)

　　13、 熱絲輔助MW ECR CVD技術(shù)高速沉積高質(zhì)量氫化非晶硅薄膜. 工晶體學(xué)報(bào).2005,34(3)：471(第五作者，EI收錄，學(xué)生第一作者)

　　14、 Study on stability of hydrogenated amorphous silicon films. Chinese Physics. 2005, 14(11)：2348 (第六作者，SCI收錄，學(xué)生第一作者)

　　15、 用彎曲模型推導(dǎo)二組元復(fù)合材料楊氏模量新公式。陶瓷學(xué)報(bào). 2002, 23(4)：226(第一作者)

　　16、 材料結(jié)合能反演對(duì)勢(shì)的MÖbius變換方法中構(gòu)造逆作用算符T1-1 的公式和證明. 陶瓷學(xué)報(bào). 2003, 24(4)：245—249(第二作者)

　　17、 熱絲對(duì)微波俄ECR CVD方法制備的a-Si:H薄膜氫含量的影響。液晶與顯示.2005年第3期P225(第四作者，學(xué)生第一作者)

　　18、 順磁物質(zhì)自由能及磁熵效應(yīng)關(guān)系. 南昌大學(xué)學(xué)報(bào)，2000(1)：(第一作者)

　　19、 橢園形電流的磁場(chǎng)分布， 江西師范大學(xué)學(xué)報(bào). 2000(1)， (第一作者)

　　四、獲獎(jiǎng)

　　1、 江西省優(yōu)秀教學(xué)成果一等獎(jiǎng)1項(xiàng)(排名第一);

　　2、 江西省優(yōu)秀教學(xué)成果二等獎(jiǎng)1項(xiàng)(排名第一);

　　3、 江西省教學(xué)名師。

　　五、微電子學(xué)與固體電子學(xué)碩士點(diǎn)簡(jiǎn)介

　　碩士點(diǎn)于2005年被評(píng)為省重點(diǎn)學(xué)科。主要從事太陽電池研究、各種功能薄膜的制備和電子器件的開發(fā)與研究，現(xiàn)有碩士研究生10人。碩士點(diǎn)現(xiàn)有教師7人，碩士研究生導(dǎo)師5名，其中教授3人，副教授4人，博士2人，碩士1人，在讀博士1人， 1人為江西省中青年學(xué)科帶頭人，1人為江西省新世紀(jì)百千萬人才。平均年齡為37，總體上為一支學(xué)歷、學(xué)位、職稱等結(jié)構(gòu)合理的科研團(tuán)隊(duì)。他們?cè)?000——2005年期間緊密團(tuán)結(jié)共同申報(bào)各類各級(jí)課題，爭(zhēng)取到國(guó)家、省部和市級(jí)科研課題30項(xiàng)，年平均經(jīng)費(fèi)達(dá)到19萬元，撰寫科研論文81余篇，其中核心論文61篇，EI、SCI收錄論文48篇，出版教材1部，獲省部級(jí)獎(jiǎng)勵(lì)2項(xiàng)，目前形成半導(dǎo)體薄膜光電器件、半導(dǎo)體材料非電量測(cè)試及敏感元器件等三個(gè)研究方向，主要從事半導(dǎo)體光電器件、聲表面波及濾波器件、電子元器件等的研究。

　　目前新進(jìn)磁控濺射儀一臺(tái)(35萬)，網(wǎng)絡(luò)分析儀一臺(tái)(25萬)。各種測(cè)試設(shè)備齊全。

景德鎮(zhèn)陶瓷學(xué)院2010年考研調(diào)劑信息（3.1）

　　高校名稱：景德鎮(zhèn)陶瓷學(xué)院

　　所在省市：江西

　　調(diào)劑專業(yè)：產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)學(xué)、文藝學(xué)、機(jī)械類學(xué)科、材料物理與化學(xué)、環(huán)境工程、藝術(shù)類學(xué)科、會(huì)計(jì)學(xué)和企業(yè)管理等

　　是否有公費(fèi)名額：有

　　高校名稱：景德鎮(zhèn)陶瓷學(xué)院

　　所在省市：江西省景德鎮(zhèn)市

　　調(diào)劑專業(yè)：產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)學(xué)、文藝學(xué)、機(jī)械類學(xué)科、材料物理與化學(xué)、環(huán)境工程、藝術(shù)類學(xué)科、會(huì)計(jì)學(xué)和企業(yè)管理等。

　　是否有公費(fèi)名額：部分專業(yè)有公費(fèi)名額

　　各位考生：

　　報(bào)考我校2010年全日制碩士研究生入學(xué)考試初試成績(jī)已于2月7日在景德鎮(zhèn)陶瓷學(xué)院網(wǎng)站首頁(http://www.jci.jx.cn/)正式公布，由于國(guó)家還未公布《2010年全國(guó)碩士研究生統(tǒng)一入學(xué)考試考生進(jìn)入復(fù)試的初試成績(jī)基本要求》，調(diào)劑工作目前尚未啟動(dòng)，在此期間無需來電及來函 詢問。根據(jù)去年分?jǐn)?shù)線，我校各專業(yè)均可能需要一定數(shù)量的調(diào)劑考生(點(diǎn)擊查看我校網(wǎng)站首頁的2010年全日制碩士研究生招生簡(jiǎn)章)歡迎對(duì)我校有調(diào)劑意向的考生向我校研究生招生辦公室提交個(gè)人的調(diào)劑信息。

　　3月底左右在國(guó)家公布《2010年全國(guó)碩士研究生統(tǒng)一入學(xué)考試考生進(jìn)入復(fù)試的初試成績(jī)基本要求》以及中國(guó)研究生招生信息網(wǎng)調(diào)劑系統(tǒng)正式開通以后，我校將第一時(shí)間公布詳細(xì)的調(diào)劑原則、調(diào)劑專業(yè)，啟動(dòng)調(diào)劑工作。我們將根據(jù)考生提交的信息主動(dòng)聯(lián)系符合調(diào)劑要求條件的考生(符合調(diào)劑的考生亦可到時(shí)聯(lián)系我們)。有關(guān)調(diào)劑、復(fù)試的通知和安排請(qǐng)及時(shí)關(guān)注我校網(wǎng)站首頁或景德鎮(zhèn)陶瓷學(xué)院研究生處網(wǎng)站(http://www.jcigra.com.cn/yjs/)發(fā)布的信息。

　　調(diào)劑基本要求預(yù)告如下：

　　1、初試成績(jī)(單科和總分)達(dá)到教育部公布的所報(bào)考的專業(yè)所屬學(xué)科門類和擬調(diào)劑專業(yè)所屬學(xué)科門類的B類地區(qū)復(fù)試分?jǐn)?shù)線;

　　2、報(bào)考專業(yè)與我校招生專業(yè)相同或相近(統(tǒng)考科目必須相同，業(yè)務(wù)課至少有一門相同)，不允許跨專業(yè)調(diào)劑;

　　3、我校今年將招收全日制專業(yè)學(xué)位研究生(材料工程、機(jī)械工程、工業(yè)設(shè)計(jì)工程、藝術(shù)碩士)，歡迎有調(diào)劑意向的考生提交個(gè)人的調(diào)劑信息。

　　聯(lián)系電話及傳真：0798-8494668

　　郵箱：tyyzb2010@163.com

　　郵件名稱格式：2010年調(diào)劑景德鎮(zhèn)陶瓷學(xué)院信息

　　郵件內(nèi)容包括：(姓名、聯(lián)系方式、原報(bào)考學(xué)校及專業(yè)、初試各門科目及總成績(jī)、擬調(diào)劑專業(yè)、本科院校最后學(xué)歷名稱及及所學(xué)專業(yè))

　　景德鎮(zhèn)陶瓷學(xué)院研究生處

　　2010年3月1日