考試吧特別推薦：2010考研調(diào)劑必勝秘訣

景德鎮(zhèn)陶瓷學院2010年考研調(diào)劑信息（3.24日更新）

微電子學與固體電子學專業(yè)

　　高校名稱：景德鎮(zhèn)陶瓷學院

　　所在省市：江西

　　調(diào)劑專業(yè)：微電子學與固體電子學專業(yè)

　　是否有公費名額：有

　　歡迎你調(diào)劑到我校微電子學與固體電子學專業(yè)攻讀碩士學位，我名下有公費指標。學習期間待遇：除國家規(guī)定的生活補助外，視每年我的科研經(jīng)費到帳條件，導師每月給不少于100元的助研補貼，若能公費錄取，則無需家里經(jīng)濟負擔。另學習期間若能發(fā)表被sci/ei收錄文章，導師給1000元每篇獎勵。如有意愿，請盡快到國家調(diào)劑網(wǎng)進行調(diào)劑登記(我們學校復試時間4月8日)，具體情況可到我們學校網(wǎng)http://www.jci.jx.cn上進行查詢，若你為第一個確認調(diào)劑至我名下的考生，則可確保你為公費生。聯(lián)系電話13979803899，8489023@163.com.。如下是我及碩士點基本情況：

　　一、個人基本情況

　　胡躍輝，男，1966年11月出生，教授，材料物理與化學博士學位，碩士研究生導師，江西省中青年學科帶頭人，江西省新世紀百千萬人才，江西省教學名師，景德鎮(zhèn)陶瓷學院機電學院副院長，景德鎮(zhèn)陶瓷學院微電子學與固體電子學碩士點學科帶頭人。

　　科研方面，主要從事的科學研究方向為：薄膜太陽能電池、半導體薄膜光電材料與器件、電子器件、光電子技術等。

　　二、科研項目

　　1、 國家973項目“非晶硅退化機理與高速生長穩(wěn)定硅基薄膜材料的研究”

　　2、 主持國家自然科學基金項目“micromorph疊層太陽電池若干問題的基礎研究”

　　3、 主持江西省千名科技人員入園入企行動項目“非晶硅/ZnO:AL/微晶硅疊層電池的研制”

　　4、 主持江西省自然科學基金項目“雙結(jié)串接非晶/微晶硅疊層太陽電池若干問題的基礎研究”

　　5、 主持江西省自然科學基金項目“具有高彈性模量陶瓷材料的懸絲耦合彎曲共振檢測方法的研究”

　　6、 主持江西省自然科學基金項目“單磁場線圈MWECR CVD 沉積系統(tǒng)高速制備均勻a-Si：H薄膜機理的研究”

　　7、 主持江西省自然科學基金項目“氫化納米非晶硅/非晶硅復合薄膜制備太陽電池研究”

　　8、 主持江西省自然科學基金項目“n-p-p連接非晶硅pin疊層太陽電池頂電池和底電池的研究”

　　9、 主持江西省教育廳科技項目“氫化非晶硅薄膜na-Si:H/a-Si:H過渡區(qū)材料制備太陽電池的研究”

　　10、 主持江西省教育廳科技項目“用n-p-p子電池連接非晶硅p-i-n疊層太陽電池頂電池和底電池的研究”

　　11、 主持江西省教育廳科技項目“Si襯底和SOI襯底上高介電ZrO2薄膜生長行為和穩(wěn)定性研究”

　　12、 主持江西省教育廳科技項目“高介電Ta2O5 薄膜研究”

　　13、 主持景德鎮(zhèn)市科技局項目“高效、穩(wěn)定非晶硅太陽電池研究”

　　三、論文

　　1、 Nanomorph Silicon Thin Films Prepared by Using an HW-MWECR CVD，Chin. Phys. Lett，22 (2005) 1260

　　2、 Investigation of the a-Si:H Films by Using Thermal and Light-Induced Annealing Treatment in Atomic Hydrogen Atmosphere in H-W-ECR CVD System，Chinese Physics，2005, 14(7)：1876

　　3、 Infrared-Transmission Spectra and Hydrogen Content of Hydrogenated Amorphous Silicon. Science in China Ser. G. 2004, 47(3)：381—392 (第一作者，SCI收錄)

　　4、 MWECR CVD等離子體沉積系統(tǒng)梯度磁場對沉積a-Si:H薄膜特性的研究. 物理學報. 2004, 53(7)：2263—2269(第一作者，SCI收錄)

　　5、 Growth Rate of a-Si∶H Film Influenced by Magnetic Field Gradient in MWECR CVD Plasma System. Chinese Journal of Semiconductors. 2004, 25(6)： 613—619 (第一作者，EI收錄)

　　6、 用生長/氫等離子體交替處理堆積層表面技術制備微晶硅薄膜的研究，半導體學報，2007, 28(8)： 1237—1241(通訊作者，EI收錄，學生第一作者)

　　7、 Investigation on deposition of a-Si:H films with uniformity in large area base on HW-MWECR-CVD system. TECHNICAL DIGEST PVSEC-15，October 10-15,2005, Shanghai China. P834(第一作者)

　　8、 Investigation of microcrystalline silicon film prepared by Layer-By-Layer technology. TECHNICAL DIGEST PVSEC-15, October 10-15,2005, Shanghai China. P957(第一作者)

　　9、 Improvement on the conventional MWECR-CVD system and preparation of hydrogenated amorphous silicon films. Vacuum. 2005, 77: 355—358 (第四作者，SCI收錄，學生第一作者)

　　10、 Simulation Analysis on Effects of Back Surface Field on p-a-Si:H/n-c-Si/n+-a-Si:H Heterojunction Solar Cell，Chinese Journal of Semiconductors，2009(6)(第一作者，EI收錄)

　　11、 氫化非晶硅薄膜的紅外光譜分析和橋鍵氫擴散假設。功能材料.2005,36(6)：940-944(第三作者，EI收錄，學生第一作者)

　　12、 Preparation Of High-Quality Hydrogenated Amorphous Silicon Film with A New Microwave Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapour Deposition System Assisted with Hot Wire. Chinese Physics. 2005, 14(4)：834(第六作者，SCI收錄，學生第一作者)

　　13、 熱絲輔助MW ECR CVD技術高速沉積高質(zhì)量氫化非晶硅薄膜. 工晶體學報.2005,34(3)：471(第五作者，EI收錄，學生第一作者)

　　14、 Study on stability of hydrogenated amorphous silicon films. Chinese Physics. 2005, 14(11)：2348 (第六作者，SCI收錄，學生第一作者)

　　15、 用彎曲模型推導二組元復合材料楊氏模量新公式。陶瓷學報. 2002, 23(4)：226(第一作者)

　　16、 材料結(jié)合能反演對勢的MÖbius變換方法中構(gòu)造逆作用算符T1-1 的公式和證明. 陶瓷學報. 2003, 24(4)：245—249(第二作者)

　　17、 熱絲對微波俄ECR CVD方法制備的a-Si:H薄膜氫含量的影響。液晶與顯示.2005年第3期P225(第四作者，學生第一作者)

　　18、 順磁物質(zhì)自由能及磁熵效應關系. 南昌大學學報，2000(1)：(第一作者)

　　19、 橢園形電流的磁場分布， 江西師范大學學報. 2000(1)， (第一作者)

　　四、獲獎

　　1、 江西省優(yōu)秀教學成果一等獎1項(排名第一);

　　2、 江西省優(yōu)秀教學成果二等獎1項(排名第一);

　　3、 江西省教學名師。

　　五、微電子學與固體電子學碩士點簡介

　　碩士點于2005年被評為省重點學科。主要從事太陽電池研究、各種功能薄膜的制備和電子器件的開發(fā)與研究，現(xiàn)有碩士研究生10人。碩士點現(xiàn)有教師7人，碩士研究生導師5名，其中教授3人，副教授4人，博士2人，碩士1人，在讀博士1人， 1人為江西省中青年學科帶頭人，1人為江西省新世紀百千萬人才。平均年齡為37，總體上為一支學歷、學位、職稱等結(jié)構(gòu)合理的科研團隊。他們在2000——2005年期間緊密團結(jié)共同申報各類各級課題，爭取到國家、省部和市級科研課題30項，年平均經(jīng)費達到19萬元，撰寫科研論文81余篇，其中核心論文61篇，EI、SCI收錄論文48篇，出版教材1部，獲省部級獎勵2項，目前形成半導體薄膜光電器件、半導體材料非電量測試及敏感元器件等三個研究方向，主要從事半導體光電器件、聲表面波及濾波器件、電子元器件等的研究。

　　目前新進磁控濺射儀一臺(35萬)，網(wǎng)絡分析儀一臺(25萬)。各種測試設備齊全。